特許

J-GLOBAL ID：200903030064125771

窒化物半導体レーザ素子

発明者： 山田 孝夫 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317846
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274414
出願日： 1995年12月06日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 活性層に電流を集中させてレーザ発振する窒化物半導体レーザ素子を提供する。【構成】 ストライプ状にエッチングされたp型層の表面に、そのp型層のストライプ幅とほぼ同一の幅で接するストライプ状の正電極が形成されていることにより、正電極の電流がp型層で広がるのを少なくして、活性層に電流を集中させる。

請求項（抜粋）：

ストライプ状にエッチングされたp型層の表面に、そのp型層のストライプ幅とほぼ同一の幅で接するストライプ状の正電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-202479   出願人：ローム株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-190466   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-219892   出願人：ローム株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-233178   出願人：ローム株式会社