特許

J-GLOBAL ID：200903076815511427

酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 薮田 久人
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258276
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073705
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】雰囲気の変化に起因する不安定動作を起こさず、安定したTFT動作特性が得られる酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】プラスチックフィルム基板1上にITO膜からなるドレイン電極5、ソース電極6を形成し、In-M-Zn-O(MはGa、Al、Feのうち少なくとも1種)を主たる構成元素とする酸化物半導体からなるチャネル層2を形成し、チャネル層2上にゲート絶縁膜3を介してITO膜からなるゲート電極4を形成し、TFTを作製する。そのTFT素子上に金属酸化物膜、シリコン酸化物膜、シリコン窒化物膜、シリコン炭化物膜、有機物膜あるいは有機物膜と金属膜の積層膜により保護膜7を200°C以下の成膜温度で形成する。その保護膜7にコンタクトホール8を形成し、これを介し、TFTの各電極4、5、6と、保護膜7上に形成したTFTの各端子9、10、11とを接続する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

In-M-Zn-O(MはGa、Al、Feのうち少なくとも1種)を主たる構成元素とする酸化物半導体をチャネル層に用いる薄膜トランジスタにおいて、 前記酸化物半導体チャネル層上を保護膜で覆うことを特徴とする酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A

Fターム (24件)：

5F110AA30 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK07 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団
• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-266012   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道