特許
J-GLOBAL ID:200903076852558131
めっき終点検出方法およびめっき装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
原 謙三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-357498
公開番号(公開出願番号):特開2003-160899
出願日: 2001年11月22日
公開日(公表日): 2003年06月06日
要約:
【要約】【課題】 ストレートウォールバンプ作成においても用いることのできる、精度のよい、めっき終点検出方法を提供する。【解決手段】 めっき装置1は、ウエハ10上に、めっきによりストレートウォールバンプを作成するためのものである。めっき装置1は、発光手段2と受光手段3と検出手段4とを備えている。発光手段2はウエハ10の表面に所定の入射角で光を照射し、受光手段3は所定の反射角で反射された反射光を検出し、検出手段4は前記反射光の強度に基づいてめっき終点を検出する。
請求項(抜粋):
被めっき基板のめっき形成面に、開口部を有するマスクが形成された状態で、該被めっき基板に対してめっきを行い、該開口部の箇所にのみめっき層を形成する際に、形成されためっき層が所望の厚さとなるめっき終点を検出するめっき終点検出方法において、上記めっき形成面における少なくとも開口部を含む領域に対し、所定の入射角で光を照射し、上記めっき形成面において所定の反射角で反射された反射光を検出し、上記反射光の強度に基づいてめっき終点を検出することを特徴とするめっき終点検出方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (6件):
4K024AA11
, 4K024AB01
, 4K024BA01
, 4K024BB11
, 4K024BB12
, 4K024CB24
引用特許:
審査官引用 (3件)
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メッキ成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-004160
出願人:沖電気工業株式会社
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特開平2-239629
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表面処理終点検出装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-155596
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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