特許
J-GLOBAL ID：200903076854118422
フォトマスク及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
大垣 孝
, 岡田 宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-277807
公開番号（公開出願番号）：特開2008-096665
出願日： 2006年10月11日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】下地基板上に複数の層が積層された半導体装置を製造するに当たり、同一のパターンが形成される場合に、一つのマスクを共通して用いる。【解決手段】下地用マスク11は、マーク領域34に第1アウターマーク用パターン41と、第1アウターマーク用パターンを行方向にs×(X1+dX)、又は、-(n-s)×(X1+dX)移動し、かつ、列方向にt×(Y1+dY)、又は、-(m-t)×(Y1+dY)移動した位置に第2アウターマーク用パターン46とを備えている。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
下地基板上に2以上の層が積層されて構成される半導体装置を製造する際に用いられる、下地用マスク及び積層用マスクを備える一組のフォトマスクであって、
前記下地用マスク及び積層用マスクの各々は、矩形状の露光領域に四角枠状の周辺領域と、該周辺領域で画成される矩形状の中央領域と、該中央領域に、m行n列(m、nはそれぞれ2以上の整数)の行列状に配列されている、複数の矩形状のデバイスパターン領域とを備え、
該デバイスパターン領域の各々は、行方向の一辺の長さが第1の長さX1であり、及び列方向の一辺の長さが第2の長さY1の矩形状であって、行方向に第1の間隔dX及び列方向に第2の間隔dYで配列されており、
前記露光領域の4つの頂点の座標が、それぞれ(0、0)、(n×X1+(n+1)×dX、0)、(0、m×Y1+(m+1)×dY)及び(n×X1+(n+1)×dX、m×Y1+(m+1)×dY)であり、
前記中央領域の4つの頂点の座標が、それぞれ(dX、dY)、(n×X1+n×dX、dY)、(dX、m×Y1+m×dY)及び(n×X1+n×dX、m×Y1+m×dY)であり、
前記周辺領域の前記中央領域を行方向に挟む位置、及び列方向に挟む位置にそれぞれ2対の同一形状及び大きさの重ね合わせ領域が設けられており、
各対の重ね合わせ領域の一方が遮光領域であり、かつ他方がマーク領域であり、
前記中央領域に対して同じ側にマーク領域と遮光領域の双方が設けられ、かつ、中央領域の各頂点を挟む位置にマーク領域と遮光領域の双方が設けられており、
前記積層用マスクは、前記マーク領域にレジスト合わせマーク用パターンを備え、
前記下地用マスクは、
前記マーク領域に第1基準合わせマーク用パターンと、
該第1基準合わせマーク用パターンを行方向にs×(X1+dX)、又は、-(n-s)×(X1+dX)移動し、かつ、列方向にt×(Y1+dY)、又は、-(m-t)×(Y1+dY)移動した位置(sは0又は1以上n-1以下の整数、及びtは0又は1以上m-1以下の整数であって、s及びtのいずれか一方又は双方が1以上)に第2基準合わせマーク用パターンと
を備え、
フォトリソグラフィにより前記レジスト合わせマーク用パターンがレジストに転写された第1レジスト合わせマークと、フォトリソグラフィ及びエッチングにより前記第1基準合わせマーク用パターンが前記下地基板に転写された第1基準合わせマークとが相俟って、第1重ね合わせマークを構成し、及び
フォトリソグラフィにより前記レジスト合わせマーク用パターンがレジストに転写された第2レジスト合わせマークと、フォトリソグラフィ及びエッチングにより前記第2基準合わせマーク用パターンが前記下地基板に転写された第2基準合わせマークとが相俟って、第2重ね合わせマークを構成する
ことを特徴とするフォトマスク。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, G03F 7/20
G03F1/08 N
, H01L21/30 514B
, H01L21/30 523
, G03F7/20 521
2H095BA02
, 2H095BB02
, 2H095BE03
, 2H095BE08
, 5F046CB17
, 5F046CC01
, 5F046CC04
, 5F046CC14
, 5F046EA09
, 5F046EB01
, 5F046EB02
, 5F046EB07
, 5F046ED01
, 5F046FC01
