特許

J-GLOBAL ID：200903076872486013

薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置

発明者： 長谷部 一秀 ,  野寺 伸武 ,  遠藤 篤史 ,  梅木 誠
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-245749
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066540
出願日： 2004年08月25日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】 適切な洗浄時間で洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置を提供する。【解決手段】 熱処理装置1の制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して反応管2内を所定の温度に加熱した状態で、処理ガス導入管17からクリーニングガスを供給して装置内部に付着した付着物を除去するとともに、メインバルブ21の開度を制御しつつ、ポンプ22を駆動させて反応管2内のガスを装置外部に排出する。制御部100は、反応管2から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を赤外センサ27により測定させ、測定した濃度が所定濃度になるまで、この処理を実行する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、 所定の温度に加熱された反応室内にクリーニングガスを供給して装置内部をクリーニングするクリーニング工程を備え、 前記クリーニング工程では、前記反応室から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を測定し、該濃度が所定濃度になるまで装置内部をクリーニングする、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/44 J

Fターム (9件)：

4K030DA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045GB07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平3-293726号公報
  

審査官引用 (3件)

• リモートプラズマ系を底に取り付けた基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-308981   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 赤外線センサを有するワークピース処理装置および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-256993   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• CVD装置およびそれを用いたCVD装置のクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-187141   出願人：財団法人地球環境産業技術研究機構