特許
J-GLOBAL ID：200903076878005777

粒子線照射システム

発明者：
西内 秀晶

西内 秀晶 について

, 
齋藤 一義

齋藤 一義 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-089840
公開番号（公開出願番号）：特開2007-260193
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】出射されるイオンビームの強度制御を簡素な装置構成で実現できる荷電粒子ビーム出射方法及び粒子線照射システムを提供することを課題とする。【解決手段】荷電粒子ビームを加速して出射するシンクロトロン3と、シンクロトロン3から導かれた荷電粒子ビームを出射する照射装置32と、シンクロトロンの運転サイクルにおける出射制御区間で、シンクロトロンから出射する荷電粒子ビームのビーム強度を制御する第1のビーム強度変調手段14と、運転サイクルにおける出射制御区間に含まれる複数の照射区間のそれぞれにおいてビーム強度を制御する第2のビーム強度変調手段15とを備えたことによって、上記課題を解決する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームを加速して出射するシンクロトロンと、 前記シンクロトロンから導かれた前記荷電粒子ビームを照射する照射装置と、 前記シンクロトロンの運転サイクルにおける出射制御区間で、前記シンクロトロンから出射する前記荷電粒子ビームのビーム強度を制御する第1のビーム強度変調手段と、 前記運転サイクルにおける前記出射制御区間に含まれる複数の照射区間のそれぞれにおいて前記ビーム強度を制御する第2のビーム強度変調手段とを備えたことを特徴とする粒子線照射システム。
IPC (4件)：
A61N 5/10 ,  G21K 5/04 ,  G21K 3/00 ,  H05H 13/04
FI (8件)：
A61N5/10 H ,  A61N5/10 N ,  G21K5/04 A ,  G21K5/04 C ,  G21K3/00 W ,  G21K3/00 Y ,  H05H13/04 M ,  H05H13/04 N
Fターム (23件)：
2G085AA13 ,  2G085BB17 ,  2G085CA02 ,  2G085CA05 ,  2G085CA15 ,  2G085CA21 ,  2G085CA22 ,  2G085CA24 ,  2G085CA26 ,  2G085EA07 ,  4C082AA01 ,  4C082AC05 ,  4C082AE03 ,  4C082AG02 ,  4C082AG09 ,  4C082AG42 ,  4C082AG44 ,  4C082AG53 ,  4C082AN05 ,  4C082AP01 ,  4C082AP12 ,  4C082AP13 ,  4C082AP20
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許第2596292号公報
  • 特表2004-5529483号公報
審査官引用 (3件)

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