特許
J-GLOBAL ID：200903076957977059
固体撮像装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-235280
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049921
出願日： 2005年08月15日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 低電源電圧化により電位障壁がさらに高まるようになり、残像や雑音が一層増加した。このように、従来の固体撮像装置では、素子の微細化及び低電源電圧化の要求により生じている疑似信号や電位障壁の問題を解決し、素子の性能を向上させる。【解決手段】 シリコン基板上に読み出しゲート電極13aが選択的に形成され、この読み出しゲート電極13aの一端にN型ドレイン領域14aが形成されている。また、読み出しゲート電極13aの他端にN型信号蓄積領域15が形成されている。この信号蓄積領域15上にはP+型の表面シールド領域21aが選択エピタキシャル成長させて形成されており、この表面シールド領域21a上には、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜からなり信号蓄積領域15の少なくとも一部を覆うシリサイドブロック層19が形成されている。ドレイン領域14a上にはTiシリサイド膜33aが形成されている。【選択図】 図28
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に選択的に形成された読み出しゲート電極と、
前記読み出しゲート電極の一端の前記半導体基板の表面に形成された第2導電型の拡散領域と、
前記読み出しゲート電極の他端の前記半導体基板の表面に形成された第2導電型の信号蓄積領域と、
前記信号蓄積領域上に選択エピタキシャル成長させて形成された第1導電型の表面シールド領域と
を具備することを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA32
, 4M118FA06
, 4M118FA08
, 4M118FA27
, 4M118FA28
, 4M118FA33
, 4M118GB03
, 4M118GB07
, 4M118GB11
, 5C024AX01
, 5C024BX01
, 5C024CX03
, 5C024CX41
, 5C024CY42
, 5C024GX03
, 5C024GX07
, 5C024GY31
