特許
J-GLOBAL ID：200903076995487138
半導体構造及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-107079
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305204
出願日： 2001年04月05日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】低抵抗の窒化物半導体構造を実現させること、及び、その窒化物半導体構造をベース層として用いて、電流利得が高いヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成すること。【解決手段】Mgドープp型InGaNで構成されるベース層をエミッタ層とコレクタ層とで挟んで形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、該ベース層のIn組成を該エミッタ層から該ベース層に至る間の距離に応じて変化させて、該ベース層中のアクセプタ準位の深さをバンドギャップと共に変化させたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。アクセプタ準位から高い割合で正孔が放出されるので、該ベース層の抵抗が低下し、正孔が蓄積された領域が実効的ベース層となり、その幅Weffが構造上のベース層幅Wbよりも小であるので、電流利得が(Wb/Weff)2倍(この倍率は1よりも大)に向上する。
請求項（抜粋）：
2種以上のIII族元素と窒素とで構成される窒化物半導体による半導体構造であって、前記III族元素のうち、バンドギャップを小さくするIII族元素の組成比が前記半導体構造中の位置に応じて変化し、前記組成比が大きくなるのに伴って、アクセプタ又はドナーとしてドーピングされた不純物の準位が浅くなることを特徴とする半導体構造。
IPC (4件)：
H01L 21/331
, H01L 29/205
, H01L 29/207
, H01L 29/737
H01L 29/205
, H01L 29/207
, H01L 29/72 H
5F003AZ03
, 5F003BB00
, 5F003BB01
, 5F003BB04
, 5F003BB05
, 5F003BE04
, 5F003BF06
, 5F003BM03
, 5F003BP32
