特許
J-GLOBAL ID：200903003345600889
化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351714
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186601
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 不純物をドーピングしてもp形層の結晶性を損なうことなくp形層の抵抗率を低く抑えることができて電気的損失も低減することができ、したがって、発光素子として構成したときの発光効率を向上させることができるようにする。【解決手段】 この発明は、p形電極を敷設するp形半導体層3を有する化合物半導体発光素子10において、p形半導体層3を、少なくとも準位の深い不純物と浅い不純物との2種類を含む複数の不純物をドーピングして形成した、ことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
p形電極を敷設するp形半導体層を有する化合物半導体発光素子において、上記p形半導体層を、少なくとも準位の深い不純物と浅い不純物との2種類を含む複数の不純物をドーピングして形成した、ことを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (9件)
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p型半導体膜および半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-332199
出願人：株式会社東芝
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特開平4-168773
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特開平4-247670
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