特許
J-GLOBAL ID：200903076995621853
半導体装置の微細パターン製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-351797
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181059
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上に、ステッパの分解能以下の精密な微細パターンを形成して半導体装置の集積度を向上させる。【解決手段】 被エッチング層の上部に下部感光膜を塗布し、その上部に第1及び第2中間膜を積層し、多数の微細パターン中で隣接したものの一つずつを飛越選択して光遮断膜パターンが備えられた第1露光マスクを利用し、多数のパターン中一つ置きに備えられた第2中間膜パターンを形成した後、第2露光マスクを利用して前記第2中間膜パターンの間に第1中間膜パターンを形成するとともに前記第2中間膜パターン低部にも第1中間膜パターンを形成した後、前記第1及び第2中間膜パターンをマスクに利用し微細な間隔と微細線幅の下部感光膜パターンを形成する技術である。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上部に被エッチング層を形成し、その上部に第1感光膜を塗布する工程と、前記第1感光膜上部に第1中間膜と前記第1中間膜とエッチング選択比が異なる第2中間膜を積層する工程と、前記第2中間膜上部に第2感光膜を塗布する工程と、多数の微細パターン中、隣接するパターンの一つずつ飛越しながら形成されるよう光遮断膜パターンが透明基板上に備えられた第1露光マスクを利用して前記第2感光膜を露光し、現像して第2感光膜パターンを形成する工程と、前記第2感光膜パターンをマスクにして露出した第2中間膜をエッチングし第2中間膜パターンを形成する工程と、全体的に第3感光膜を塗布する工程と、多数の微細パターンを形成する際、前記第1露光マスクで省略された光遮断膜パターンが備えられた第2露光マスクを利用して前記第3感光膜を露光し、現像して第3感光膜パターンを形成する工程と、前記第3感光膜パターンをマスクにして露出した前記第1中間膜をエッチングして第1中間膜パターンを形成する工程と、残っている感光膜パターンを除去し、前記第1及び第2中間膜パターンをマスクに利用し露出された第1感光膜をエッチングして第1感光膜パターンを形成する工程と、前記第1感光膜パターンをマスクにし、下部に被エッチング層をエッチングして微細パターンを形成する工程を含む半導体装置の微細パターン製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, G03F 7/26 511
, H01L 21/027
, H01L 21/3213
H01L 21/302 J
, G03F 7/26 511
, H01L 21/30 573
, H01L 21/88 D
