特許
J-GLOBAL ID：200903077018500165

半導体発光素子

発明者：
尺田 幸男

尺田 幸男 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-002918
公開番号（公開出願番号）：特開2009-164506
出願日： 2008年01月10日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：
【課題】 光の取り出し効率を向上させることが可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 本発明による半導体発光素子1は、光(L9〜L11)を透過可能な基板2と、基板2の主面上に形成された、傾斜した側面10bを有する発光層を含む半導体層10と、半導体層10の表面を覆うように形成された反射層20とを備え、半導体層10の側面10bは、基板2の主面の水平方向に対して45〜75°の傾斜角θを有しており、反射層20は、複数の誘電体層(11〜13)を含み、各誘電体層(11〜13)は半導体層10の上部端面10a側の平均厚さがm(λ/nr)、半導体層10の側面10b側の平均厚さがm(λ/nr)cosθ、ただし、λ:発光層の発光波長、nr:各誘電体層(11〜13)の屈折率、m:1以上の任意の整数、で表される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光を透過可能な基板と、 前記基板の主面上に形成された、傾斜した側面を有する発光層を含む半導体層と、 前記半導体層の表面を覆うように形成された反射層とを備え、 前記半導体層の側面は、前記基板の主面の水平方向に対して45〜75°の傾斜角θを有しており、 前記反射層は、複数の誘電体層を含み、該誘電体層は前記半導体層の上部端面側の平均厚さがm(λ/nr)、前記半導体層の側面側の平均厚さがm(λ/nr)cosθ、ただし、λ:発光層の発光波長、nr:各誘電体層の屈折率、m:1以上の任意の整数、で表されることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/302 101C
Fターム (20件)：
5F004AA09 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004CA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA08 ,  5F004EA37 ,  5F004EB08 ,  5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA93 ,  5F041CB11 ,  5F041EE23
引用特許：
出願人引用 (3件)

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