特許
J-GLOBAL ID：200903071833131044
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022910
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219562
出願日： 1996年02月09日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 共振器の下側に高反射膜として半導体多層膜を成長することが困難な材料に対して,この高反射膜をなくした構造で発振可能な面発光レーザの提供。【解決手段】 1)垂直共振器面型半導体発光素子であって,共振器の一方の端面は半導体層の表面または界面であり, 他方の端面には前記一方の端面より高反射率の材料からなる光反射膜を有する半導体発光素子,2)垂直共振器面型半導体発光素子であって,基板上に形成された半導体層からなる共振器の下部端面が該半導体層と該基板との界面であり,該共振器の上部端面には誘電体多層膜からなる光反射膜が形成されている半導体発光素子,3)垂直共振器面型半導体発光素子であって,基板上に形成された半導体層からなる共振器の下部端面が該半導体層と該基板との界面であり,該共振器の上部端面及び該基板の裏面には誘電体多層膜からなる光反射膜が形成されている半導体発光素子。
請求項（抜粋）：
垂直共振器面型半導体発光素子であって,共振器の一方の端面は半導体層の表面または界面であり, 他方の端面には前記一方の端面より高反射率の材料からなる光反射膜を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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