酸化亜鉛光触媒薄膜の処理方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-044216
公開番号（公開出願番号）：特開2003-236376
出願日： 2002年02月21日
公開日（公表日）： 2003年08月26日
要約：

【要約】【課題】環境浄化等のために使用する酸化亜鉛光触媒薄膜の光触媒活性を向上させる方法の提供。【構成】基体表面に成膜したC-軸が基板に対して垂直な高配向の酸化亜鉛薄膜に基体の温度50°Cから400°Cの範囲で窒素ラジカル処理を施すことにより酸化亜鉛の光触媒活性を向上させる。例えば、基体表面にMOCVD法によってC-軸が基板に対して垂直な高配向の酸化亜鉛薄膜を成膜し、さらに、MOCVD装置に搭載されているラジカル源で窒素ラジカルを酸化亜鉛に照射する。

請求項（抜粋）：

基体表面に成膜したC-軸が基板に対して垂直な高配向の酸化亜鉛薄膜に基体の温度50°Cから400°Cの範囲で窒素ラジカル処理を施すことにより酸化亜鉛の光触媒活性を向上させることを特徴とする酸化亜鉛光触媒薄膜の処理方法。

IPC (5件)：

B01J 23/06 , B01J 35/02 , B01J 37/02 301 , C23C 16/40 , C23C 16/56

FI (5件)：

B01J 23/06 M , B01J 35/02 J , B01J 37/02 301 P , C23C 16/40 , C23C 16/56

Fターム (22件)：

4G069AA03 , 4G069AA08 , 4G069BA01A , 4G069BA01B , 4G069BA14A , 4G069BA48A , 4G069BB04A , 4G069BB04B , 4G069BC35A , 4G069BC35B , 4G069EA07 , 4G069EA11 , 4G069FA03 , 4G069FB03 , 4G069FB80 , 4K030AA11 , 4K030AA16 , 4K030BA47 , 4K030CA06 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030JA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

光触媒物質および光触媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-017625 出願人：株式会社豊田中央研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

Fast photoresponse and the related change of crystallite barriers for ZnO films deposited by RF sput

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