特許
J-GLOBAL ID：200903077031588322
二重金属二重スタッド構造によるフレキシブル相互接続を有する電子装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-121130
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056063
出願日： 1997年05月12日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的は、金属マイグレーションへの耐性が高く、しかも同じプロセスを使用して形成することができる、金属導体及び金属-金属精密キャパシタ構造を有する電子装置を提供することである。【解決手段】 高い導電率と金属マイグレーション(migration)の障害に対する高い耐性とを有する金属相互接続部を金属または合金(TI/CuAlSiなど)の2つの層で形成し、その2つの層の間に誘電体を挿入し、導電材料によって2つの層の間に好ましくはレベル間誘電体の開口内に形成されたプラグまたはスタッドの形の接続部を形成する。各層への別々の接続部を形成することによって同じ層から高精度金属-金属キャパシタを形成することができる。相互接続部(及びキャパシタ)はトポグラフィの険しさが低減されており、上に重ねるレベル間誘電体の平坦化を容易にする。
請求項（抜粋）：
相互接続部とキャパシタとを含む電子装置であって、前記相互接続部及び前記キャパシタは第1の金属層と誘電体層と第2の金属層のそれぞれの部分を含み、前記誘電体層は前記第1の金属層と前記第2の金属層との間に挿入され、前記電子装置はさらに前記相互接続部の前記第1の金属層と前記第2の金属層の両方への共通接続部と、前記キャパシタの前記第1の金属層と前記第2の金属層のそれぞれへの別々の接続部を含む、電子装置。
IPC (5件)：
H01L 21/768
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/90 D
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 Z
