特許
J-GLOBAL ID：200903077038268048
イオン化スパッタリング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-122273
公開番号（公開出願番号）：特開平11-315376
出願日： 1998年05月01日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 イオン化スパッタに特有な基板周辺部での成膜の不均一性の問題を解消する。【解決手段】 スパッタ粒子が基板9以外の場所に付着するのを防ぐための防着シールド61,63は、基板9の表面の方向で基板9の周縁から50mm以内の空間領域であるとともに基板9の表面に垂直な方向でプラズマが形成される側に50mm以内の空間領域である禁止領域aを占めることがない。プラズマの拡散が規制されずに外方に広く拡散するため、基板9の周辺部においてシース電界Eの向きが斜め外側に向いてしまうことがなく、中央部と同様にイオン化スパッタ粒子が入射し、均一に成膜が行われる。
請求項（抜粋）：
排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入系と、スパッタチャンバー内に被スパッタ面が露出するようにして設けられたターゲットと、ターゲットに高周波電圧を印加してターゲットをスパッタするスパッタ電源と、スパッタによってターゲットから放出されたスパッタ粒子をイオン化させるイオン化手段と、イオン化したスパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーと、イオン化したスパッタ粒子を基板により垂直に入射させ、基板の表面に形成された微細なホールの底面への成膜速度を高める電界を設定する電界設定手段とを備えたイオン化スパッタリング装置であって、前記イオン化手段は、ターゲットと基板との間のスパッタ粒子飛行空間にプラズマを形成してスパッタ粒子をイオン化させるものであり、前記スパッタチャンバーの内部には、スパッタによって放出されたスパッタ粒子が基板以外の場所に付着するのを防ぐための防着シールドが設けられており、この防着シールドは、基板の表面の方向で基板の周縁から50mm以内の空間領域であるとともに、基板の表面に垂直な方向で前記プラズマが形成される側に50mm以内の空間領域である禁止領域を占めることがない寸法形状及び配置位置となっていることを特徴とするイオン化スパッタリング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 T
, H01L 21/203 S
