特許
J-GLOBAL ID：200903077042638372

有機電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
益田 由紀

益田 由紀 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  阿部 豊隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-338358
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109028
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 ソース電極又はドレイン電極と有機半導体層との間の接触抵抗が充分に低減された有機FET及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 有機FET1はゲート絶縁膜4の一側に設けられたゲート電極2、ゲート絶縁膜4の他側に設けられた有機半導体層6、ゲート絶縁膜4の他側であって有機半導体層6の上に設けられたソース電極10及びドレイン電極12、及び、有機半導体層6とソース電極10及びドレイン電極12との間にそれぞれ設けられたバッファ層8から構成されるものである。バッファ層8は、永久双極子モーメントを有する化合物から主として構成されるものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルとなる有機半導体層と、 前記チャネルを通る電流量を制御するためのゲート電極と、 前記有機半導体層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうち少なくとも一方の電極との間に形成されており、永久双極子モーメントを有する化合物を含むバッファ層と、 を備える有機電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V
Fターム (22件)：
5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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