特許

J-GLOBAL ID：200903077073031433

誘電体磁器組成物

発明者： 柴 田 将 充 ,  浜 地 幸 生
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204627
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037428
出願日： 1993年07月26日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 1160°C以下で焼成でき、1000以上の高誘電率でありながら、X8R特性を満足し、磁器の機械的強度が高く、さらに誘電体磁器層の厚みを10μm〜15μmと薄膜化したときに、JIS C6429のRB特性の規格に準じて、定格電圧の50%の直流電圧を印加したときの静電容量の温度変化率が+15%〜-40%以内と小さい、誘電体磁器組成物を提供する。【構成】 この発明は、一般式、{100-(a+b+c+d+e)}BaTiO3 +aZnO+bBi2 O3 +cMeO2 +dNb2 O5 +eRe2 O3 (ただし、MeはTi、Zr、Snの中から選ばれる少なくとも一種類、ReはLa、Pr、Nd、Sm、Dy、Erの中から選ばれる少なくとも一種類、a、b、c、dおよびeはモル%)で表され、a、b、c、dおよびeがそれぞれ0.5≦a≦4.5、2.0≦b≦6.0、0.5≦c≦6.5、0.5≦d≦4.5、0.5≦e≦5.5の範囲内にあり、SiO2 を主成分とするガラスからなる第1副成分が0.05〜2.5重量%含有する誘電体磁器組成物である。

請求項（抜粋）：

次の一般式、{100-(a+b+c+d+e)}BaTiO3 +aZnO+bBi2 O3+cMeO2 +dNb2 O5 +eRe2 O3 (ただし、MeはTi、Zr、Snの中から選ばれる少なくとも一種類、ReはLa、Pr、Nd、Sm、Dy、Erの中から選ばれる少なくとも一種類、a、b、c、dおよびeはモル%)で表される主成分が97.5〜99.95重量%、ただし、前記一般式のa、b、c、dおよびeがそれぞれ次の範囲にある0.5≦a≦4.52.0≦b≦6.00.5≦c≦6.50.5≦d≦4.50.5≦e≦5.5SiO2 を主成分とするガラスからなる第1副成分が0.05〜2.5重量%、からなる誘電体磁器組成物。

IPC (4件)：

H01B 3/12 313 ,  H01B 3/12 303 ,  C04B 35/46 ,  H01G 4/12 358