特許

J-GLOBAL ID：200903083511440961

誘電体磁器組成物

発明者： 柴 田 将 充 ,  浜 地 幸 生
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204625
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037427
出願日： 1993年07月26日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 1160°C以下で焼成でき、1000以上の高誘電率でありながら、X8R特性を満足し、磁器の機械的強度が高く、さらに誘電体磁器層の厚みを10μm〜15μmと薄膜化したときに、JIS C6429のRB特性の規格に準じて、25Vの直流電圧を印加したときの静電容量の温度変化率が+15%〜-40%以内と小さい、誘電体磁器組成物を提供する。【構成】 この発明は、{100-(a+b+c+d)}(Ba<SB>100-x </SB>Pb<SB>x </SB>)TiO<SB>3 </SB>+aZnO+bBi<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>+cNb<SB>2 </SB>O<SB>5 </SB>+dRe<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>(ただし、ReはLa、Pr、Nd、Sm、Dy、Erの中から選ばれる少なくとも一種類、a、b、c、dおよびxはモル%)で表され、a、b、c、dおよびxがそれぞれ0.5≦a≦4.5、0.5≦b≦4.5、0.5≦c≦4.5、0.5≦d≦5.5、0<x≦6.0の範囲内にあり、SiO<SB>2 </SB>を主成分とするガラスからなる第1副成分を0.05〜2.5重量%含有する、誘電体磁器組成物である。

請求項（抜粋）：

次の一般式、{100-(a+b+c+d)}(Ba<SB>100-x </SB>Pb<SB>x </SB>)TiO<SB>3 </SB>+aZnO+bBi<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>+cNb<SB>2 </SB>O<SB>5 </SB>+dRe<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>(ただし、ReはLa、Pr、Nd、Sm、Dy、Erの中から選ばれる少なくとも一種類、a、b、c、dおよびxはモル%)で表される主成分が97.5〜99.95重量%、ただし、前記一般式のa、b、c、dおよびxがそれぞれ次の範囲にある0.5≦a≦4.50.5≦b≦4.50.5≦c≦4.50.5≦d≦5.50<x≦6.0SiO<SB>2 </SB>を主成分とするガラスからなる第1副成分が0.05〜2.5重量%、からなる誘電体磁器組成物。

IPC (3件)：

H01B 3/12 313 ,  C04B 35/46 ,  H01G 4/12 358

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平4-089353
  
• 高誘電率誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-212666   出願人：テイーデイーケイ株式会社
• 高誘電率誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-269431   出願人：テイーデイーケイ株式会社
• 誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204627   出願人：株式会社村田製作所