特許
J-GLOBAL ID：200903077076584611
変調器付きレーザの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180927
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027936
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】 変調器付きレーザアレイを簡便に作製できる方法を提供する。【解決手段】 基板12の上面にグレーティング区域14a を設ける工程と、予定させる導波路方向に沿って第1区域28、グレーティング区域14a 及び第2区域32の順で配列しかつ導波路方向と直交する方向に沿う幅と等幅でグレーティング区域とそれぞれ連続する当該第1及び第2区域の、導波路方向と平行な互いに対向する2辺16a,18b,20a,22b を画成する第1、第2、第3及び第4マスク16、18、20、22 を基板の上面に設ける工程と、第1、第2、第3及び第4マスクが設けられ基板の上面側に、有機金属気相成長(MOVPE)法を用いて多重量子井戸層(MQW層)34を設けて、第1区域に活性領域35、グレーティング区域に分布ブラッグ反射(DBR)領域37及び第2区域に変調領域39をそれぞれ形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
(a)基板の上面にグレーティング区域を設ける工程と、(b)予定させる導波路方向に沿って第1区域、前記グレーティング区域及び第2区域の順で配列しかつ前記導波路方向と直交する方向に沿う幅と等幅で前記グレーティング区域とそれぞれ連続する当該第1及び第2区域の、前記導波路方向と平行な互いに対向する2辺を画成する、次の条件?@、?A、?B及び?Cを有する第1、第2、第3及び第4マスクを前記基板の上面に設ける工程と、?@前記第1マスクは、前記第1区域の前記2辺のうちの一方の辺を画成する第1マスク辺を有する四角形状のマスクとすること、?A前記第2マスクは、前記第1区域の前記2辺のうちの他方の辺を画成する第2マスク辺を有しかつ前記第1マスクと合同な形状のマスクとすること、?B前記第3マスクは、前記第2区域の前記2辺のうちの一方の辺を画成する第3マスク辺を有しかつ前記第1及び第2マスクより、前記導波路方向と直交する方向に沿う幅が幅狭の四角形状のマスクとすること、及び?C前記第4マスクは、前記第2区域の前記2辺のうちの他方の辺を画成する第4マスク辺を有しかつ前記第3マスクと合同な形状のマスクとすること(c)前記第1、第2、第3及び第4マスクが設けられ前記基板の上面側に、有機金属気相成長(MOVPE)法を用いて多重量子井戸層(MQW層)を設けて、前記第1区域に活性領域、前記グレーティング区域に分布ブラッグ反射(DBR)領域及び前記第2区域に変調領域をそれぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする変調器付きレーザの形成方法。
引用特許：
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