液浸リソグラフィー方法および基板露光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-527264
公開番号（公開出願番号）：特表2007-507094
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

本発明は、基板(405)を露光するイマージョンリソグラフィー方法に関するものである。基板(405)を露光する場合、イマージョン流動体を、投影素子と基板との間に導入し、上記方法では、基板(405)の被露光面の露光の焦点深度および/または解像度を、露光されるレチクル(402)と基板(405)の被露光面との間のビームの方向における間隔を、担体(409)の動き(408)の方向に沿って変化させることによって調整する。

請求項（抜粋）：

基板を露光するための液浸リソグラフィー方法であって、ビームを生成する照射源と、レチクルを受け入れる支持部と、その上部に基板が配置されている担体と、レチクルと基板との間に配置されている投影素子とを備えたスキャン露光装置を用いて行うとともに、上記基板の露光中に、液浸流動体を、上記投影素子と上記基板との間に導入し、上記ビームを、上記照射源から、上記レチクル、上記投影素子、及び上記液浸流動体を通過させて、基板の被露光面に到達させ、上記ビームを、上記レチクルを第1方向にスキャンさせ、上記担体を、上記基板の被露光面を露光する際に、第2方向に動かし、基板の露光における焦点深度および/または解像度を調整するために、上記レチクルによる露光中に、上記レチクルと上記基板の被露光面との間の照射方向における間隔を、上記担体の動作方向に沿って変更し、上記間隔は、上記液浸流動体の露光中の温度変化によって露光中に引き起こされる焦点深度変化および/または解像度変化を補償することによって変更される、液浸リソグラフィー方法。

IPC (1件)：

H01L 21/027

FI (2件)：

H01L21/30 515D , H01L21/30 516A

Fターム (3件)：

5F046CB01 , 5F046CB25 , 5F046DA14

引用特許：

審査官引用 (5件)

投影露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-296425 出願人：株式会社ニコン
液浸型露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-121757 出願人：株式会社ニコン
パターン形成方法及びその露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-008136 出願人：株式会社日立製作所

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