特許
J-GLOBAL ID：200903077112148564

多結晶薄膜の形成方法並びに酸化物超電導導体

発明者：
飯島 康裕

飯島 康裕 について

, 
柿本 一臣

柿本 一臣 について


出願人/特許権者：
株式会社フジクラ

株式会社フジクラ について

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財団法人国際超電導産業技術研究センター

財団法人国際超電導産業技術研究センター について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-288868
公開番号（公開出願番号）：特開2003-096563
出願日： 2001年09月21日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、酸化物超電導導体の形成に有用な、基材の成膜面上に直角に結晶粒のc軸を揃え、加えて被成膜面と平行な面に沿って先の結晶粒の結晶軸のa軸またはb軸をも揃えることができ、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を得る方法を提供する。【解決手段】 YZrO、GdZrOあるいはEuZrOの組成式で示されるパイロクロア型の結晶構造を有する複合酸化物の多結晶薄膜を、多結晶基材の被成膜面上に形成する方法であって、結晶構造に従って多結晶基材の温度を90〜300°Cの特定温度に保持して、イオンビームアシスト法により形成する。この方法で得られる多結晶薄膜は、多結晶基材の被成膜面と平行な面に沿う各結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が20度以下となる。EuZrOも有用である。
請求項（抜粋）：
組成式がGdZrOまたはYZrOのいずれかで示されるパイロクロア型、蛍石型、希土類C型もしくはパイロクロアと希土類C型の混合型の結晶構造を有する結晶粒からなり、多結晶基材の被成膜面と平行な面に沿う前記結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が30度以下である多結晶薄膜を形成する方法であって、スパッタ法により前記組成式の構成元素のターゲットから発生させた構成粒子を多結晶基材の被成膜面上に堆積させる際に、多結晶基材を90°C〜300°Cの温度に加熱し、イオンソースが発生させるイオンビームとして、Ar+のイオンビーム、Kr+のイオンビーム、Xe+のイオンビーム、あるいはこれらの混合イオンビームを用い、前記イオンビームのイオンビームエネルギーを150eV以上300eV以下の範囲に調整し、前記イオンビームを基材の被成膜面の法線に対して50度以上60度以下の入射角度で照射させながら堆積させることを特徴とする多結晶薄膜の形成方法。
IPC (6件)：
C23C 14/48 ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 ,  H01B 13/00 565 ,  H01B 13/00 ZAA ,  H01L 39/24
FI (6件)：
C23C 14/48 D ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 Z ,  H01B 13/00 565 D ,  H01B 13/00 ZAA ,  H01L 39/24 B
Fターム (33件)：
4G047JA04 ,  4G047JB02 ,  4G047JC02 ,  4G047KE02 ,  4G077AA03 ,  4G077AA07 ,  4G077BC60 ,  4G077DA11 ,  4G077EA02 ,  4G077SB02 ,  4K029AA02 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BB08 ,  4K029BC04 ,  4K029CA05 ,  4K029CA15 ,  4K029DC37 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4M113AD35 ,  4M113AD68 ,  4M113BA01 ,  4M113BA04 ,  4M113BA29 ,  4M113CA34 ,  4M113CA36 ,  5G321AA01 ,  5G321BA07 ,  5G321CA04 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27
引用特許：
審査官引用 (2件)

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