特許
J-GLOBAL ID：200903077128179699
サブマウントおよびそれを用いた光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-392766
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198025
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 より高周波帯域の高周波信号の良好な伝送特性が得られる小型化および薄型化されたサブマウントおよび光半導体装置を提供すること。【解決手段】 絶縁基板の上側主面に堤部5が設けられ、堤部5の上面には中央部に導体層から成る光半導体素子搭載部2および光半導体素子搭載部2から上面の端にかけて堤部5の長手方向に略平行な線路導体4が形成されており、堤部5の横で光半導体素子搭載部2の横に位置する上側主面の部位に光半導体素子搭載部2に搭載される光半導体素子11と光学的に結合されるレンズ9が上面に接合されるレンズ搭載部3が設けられ、絶縁基板の下側主面の略全面に第一の接地導体層20が形成されているサブマウントであって、上側主面の堤部5の内層に第二の接地導体層22が形成されており、光半導体素子搭載部2は第二の接地導体層22を介して貫通導体21により第一の接地導体層20に電気的に接続されている。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の上側主面に堤部が設けられ、該堤部の上面には中央部に導体層から成る光半導体素子搭載部および該光半導体素子搭載部から前記上面の端にかけて前記堤部の長手方向に略平行な線路導体が形成されており、前記堤部の横で前記光半導体素子搭載部の横に位置する前記上側主面の部位に前記光半導体素子搭載部に搭載される光半導体素子と光学的に結合されるレンズが上面に接合されるレンズ搭載部が設けられ、前記絶縁基板の下側主面の略全面に第一の接地導体層が形成されているサブマウントであって、前記上側主面の前記堤部の内層に第二の接地導体層が形成されており、前記光半導体素子搭載部は前記第二の接地導体層を介して貫通導体により前記第一の接地導体層に電気的に接続されていることを特徴とするサブマウント。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/022
, H01L 23/02 F
5F073AB21
, 5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073FA02
, 5F073FA06
, 5F073FA15
, 5F073FA16
, 5F073FA18
, 5F073FA25
