特許

J-GLOBAL ID：200903077169569531

選択的な表面改質・洗浄方法

発明者： 井上 政夫 ,  原地 美智恵
出願人/特許権者： アイダエンジニアリング株式会社
代理人 (2件)： 梶山 佶是 ,  山本 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-393443
公開番号（公開出願番号）：特開2005-156279
出願日： 2003年11月25日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 物質表面の一部を選択的に改質及び/又は洗浄する安価で効率的な方法を提供する。【解決手段】 (1)中心波長172nmのエキシマUV光に対して透過性を有する基材の一方の面上に所定の形状の遮光パターンを有するマスクを準備するステップと、 (2)処理対象物を準備するステップと、 (3)前記処理対象物の被処理面上に前記マスクの遮光パターンを有する面を位置合わせして載置するステップと、 (4)前記マスクの上面からエキシマUV光を照射するステップとからなる選択的な表面改質・洗浄方法。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

選択的な表面改質・洗浄方法であって、 (1)中心波長172nmのエキシマUV光に対して透過性を有する基材の一方の面上に所定の形状の遮光パターンを有するマスクを準備するステップと、 (2)処理対象物を準備するステップと、 (3)前記処理対象物の被処理面上に前記マスクの遮光パターンを有する面を位置合わせして載置するステップと、 (4)前記マスクの上面からエキシマUV光を照射するステップとからなることを特徴とする選択的な表面改質・洗浄方法

IPC (4件)：

G01N1/10 ,  B08B7/00 ,  G01N1/00 ,  G01N37/00

FI (4件)：

G01N1/10 N ,  B08B7/00 ,  G01N1/00 101N ,  G01N37/00 101

Fターム (8件)：

2G052DA05 ,  2G052FC06 ,  2G052FC07 ,  2G052FD00 ,  3B116AA02 ,  3B116AA03 ,  3B116AA46 ,  3B116BC01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第2705023号明細書
  
• 特開平2-7353号公報
  
• 米国特許第4837484号明細書
  
• 微量液体制御機構
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-198313   出願人：理化学研究所

審査官引用 (2件)

• パターン形成方法及び露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-143485   出願人：株式会社ニコン, 杉村博之, 高井治
• 分子の分離を実施するための改良された方法およびシステム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-539344   出願人：カリパーテクノロジーズコーポレイション