特許
J-GLOBAL ID:200903077174803003
プラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (8件):
三好 秀和
, 三好 保男
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 栗原 彰
, 川又 澄雄
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-044870
公開番号(公開出願番号):特開2004-249260
出願日: 2003年02月21日
公開日(公表日): 2004年09月09日
要約:
【課題】専用の電極をなくすと共に、より多くのラジカルの発生を可能とする。【解決手段】プロセスガスが供給される真空容器3内に、プラズマ発生用の高周波電源の電極となる磁石9を配置する。磁石9は前記真空容器3の天井面3a、両側面3b、底面3cに沿って支持されたエンドレスのリング状に形成し、内側領域と外側領域の内、いずれか一方をS極、他方をN極として、磁石9によって閉じ込めたプラズマ中の電子をエンドレスに循環させることで、高密度のプラズマ状態を作る。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
プロセスガスが供給される真空容器と真空容器内に配置されプラズマ発生用の高周波電源の電極となる磁石とを備え、磁石は、前記真空容器の天井面、両側面、底面に沿ってセット支持されたエンドレスのリング状の形状で、2個以上設置されており内側領域と外側領域の内、いずれか一方がS極、他方がN極で隣り合う磁石の対向面は互いに反対の磁極となっていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
B01J19/08
, A61L2/14
, B01J3/00
, H05H1/46
FI (4件):
B01J19/08 E
, A61L2/14
, B01J3/00 J
, H05H1/46 A
Fターム (20件):
4C058AA01
, 4C058BB06
, 4C058KK06
, 4C058KK11
, 4C058KK21
, 4G075AA30
, 4G075AA37
, 4G075BA06
, 4G075BA10
, 4G075CA25
, 4G075CA42
, 4G075CA65
, 4G075DA02
, 4G075EB01
, 4G075EB41
, 4G075EC21
, 4G075EC25
, 4G075EE01
, 4G075EE02
, 4G075FB02
引用特許:
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