特許

J-GLOBAL ID：200903077229546382

ウェハ処理において低誘電率材料を不動態化する方法

発明者： トーマ,ドーレル イオアン ,  シリング,ポール
出願人/特許権者： スーパークリティカル システムズ インコーポレイティド
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  西山 雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-575185
公開番号（公開出願番号）：特表2005-519481
出願日： 2003年03月04日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

シリル化剤を含有する不動態化用超臨界二酸化炭素溶液を用いて、酸化ケイ素に基づく低k材料を不動態化する方法を開示する。このシリル化剤は好ましくは、5個の炭素原子を有する有機基を有する有機ケイ素化合物、例えばヘキサメチルジシラザン(HMDS)、クロロトリメチルシラン(TMCS)、及びこれらを組み合わせたものである。本発明の実施形態によれば、酸化ケイ素に基づく低k材料を不動態化用超臨界溶液に曝すとともに、温度を40〜200°Cの範囲、好ましくは約150°C、また圧力を1,070〜9,000psiの範囲、好ましくは約3,000psiに保つ。本発明の別の実施形態によれば、超臨界二酸化炭素洗浄液を用いて酸化ケイ素に基づく低k材料の洗浄と不動態化を同時に行う。

請求項（抜粋）：

(a)超臨界CO2と有機基を有する所定量のシリル化剤とを含有する不動態化用超臨界溶液で、低k表面を処理すること、及び (b)前記超臨界溶液を除去すること、 を含み、前記有機基によって前記低k表面の少なくとも一部を不動態化する、低k表面の処理方法。

IPC (4件)：

H01L21/316 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

FI (4件)：

H01L21/316 P ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/30 572B

Fターム (11件)：

2H096AA25 ,  2H096HA02 ,  2H096HA30 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02 ,  5F046MA05 ,  5F058AA04 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-380487   出願人：株式会社日立製作所
• シリカ膜の形成方法、シリカ膜、絶縁膜および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-175600   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 特開昭64-045131