特許

J-GLOBAL ID：200903012879268773

半導体装置の製造方法

発明者： 福田 琢也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-380487
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179026
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上に形成される絶縁膜や誘電体膜のリーク電流低減、絶縁耐圧の向上、経時的絶縁破壊の低減を図る。【解決手段】 半導体装置に用いられる絶縁膜や誘電体膜を超臨界状態の二酸化炭素に曝す。超臨界状態の二酸化炭素はこれらの膜の組織内の隅々にまで入り込むため、膜中の水分、電荷、不純物は、入り込んだ二酸化炭素に溶解または取り込まれて除去される。また、絶縁膜や誘電体膜にあらかじめ水分を含有させ、その後、超臨界状態の二酸化炭素に曝して膜を乾燥させる。この場合は、水分が強い極性を有するようになるため、膜中に含有されている電荷や欠陥部あるいは不純物に水が吸着する。次に、この膜を超臨界状態の二酸化炭素に曝すと、電荷や欠陥部あるいは不純物は、吸着された水と共に除去される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に素子分離用の溝を形成する工程と、前記溝の内部に絶縁膜を埋め込む工程と、前記絶縁膜を超臨界状態の二酸化炭素に曝す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (12件)：

H01L 21/304 651 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78

FI (11件)：

H01L 21/304 651 Z ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/08 331 A ,  H01L 21/90 J ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 27/08 102 H ,  H01L 29/78 301 Y ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 301 R

Fターム (143件)：

5F032AA35 ,  5F032AA49 ,  5F032CA17 ,  5F032DA41 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ36 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033KK36 ,  5F033LL04 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ86 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033TT08 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033XX00 ,  5F033XX09 ,  5F033XX28 ,  5F048AA04 ,  5F048AA08 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF15 ,  5F048BG02 ,  5F048BG13 ,  5F048DA27 ,  5F058BA01 ,  5F058BA02 ,  5F058BA05 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ06 ,  5F083AD31 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083AD62 ,  5F083GA02 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA57 ,  5F083JA58 ,  5F083KA20 ,  5F083MA04 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40 ,  5F140AA05 ,  5F140AA10 ,  5F140AA19 ,  5F140AA23 ,  5F140AA24 ,  5F140BD11 ,  5F140BG14 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK24 ,  5F140BK25 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC10 ,  5F140CC12 ,  5F140CC16 ,  5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 異物除去方法,膜形成方法,半導体装置及び膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-018265   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-152090   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-030464
  
• 特開平3-127832
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-342440   出願人：新日本製鐵株式会社