特許

J-GLOBAL ID：200903077250551337

薄膜圧電共振器及びその製造方法

発明者： 川久保 隆 ,  安本 恭章 ,  阿部 和秀 ,  佐野 賢也 ,  清水 達雄 ,  尾原 亮一 ,  梁瀬 直子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358356
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163566
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 電気機械結合係数が大きく、且つ製造が容易で素子サイズもコンパクトに形成できる薄膜圧電共振器及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 単結晶基板(1)と、前記単結晶基板の上に空隙(V)を挟んで設けられ下部電極(4)と強誘電体層(5)と上部電極(6)とを積層してなる共振器(8)と、を備え、前記共振器を構成する前記下部電極及び前記強誘電体層は、前記単結晶基板に対してエピタキシャル成長関係にあり、前記共振器は、その周囲において前記単結晶基板に延設された前記強誘電体層によって前記単結晶基板の上に前記空隙を挟んで支持されてなることを特徴とする薄膜圧電共振器を提供する。

請求項（抜粋）：

単結晶基板と、前記単結晶基板の上に空隙を挟んで設けられ下部電極と強誘電体層と上部電極とを積層してなる共振器と、を備え、前記共振器を構成する前記下部電極及び前記強誘電体層は、前記単結晶基板に対してエピタキシャル成長関係にあり、前記共振器は、その周囲において前記単結晶基板に延設された前記強誘電体層によって前記単結晶基板の上に前記空隙を挟んで支持されてなることを特徴とする薄膜圧電共振器。

IPC (2件)：

H03H 9/17 ,  H03H 3/02

FI (2件)：

H03H 9/17 F ,  H03H 3/02 B

Fターム (11件)：

5J108AA07 ,  5J108BB04 ,  5J108CC11 ,  5J108DD01 ,  5J108DD06 ,  5J108DD07 ,  5J108FF01 ,  5J108KK01 ,  5J108KK02 ,  5J108MM04 ,  5J108MM11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜圧電素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-139997   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 強誘電体薄膜素子ならびにセンサ、および強誘電体薄膜素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-072758   出願人：株式会社村田製作所