特許
J-GLOBAL ID：200903077263283129

表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

発明者：
庄 功裕

庄 功裕 について

, 
磯田 寛人

磯田 寛人 について

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中村 忍

中村 忍 について


出願人/特許権者：
株式会社シチズン電子

株式会社シチズン電子 について

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河口湖精密株式会社

河口湖精密株式会社 について


代理人 (1件)： 高宗 寛暁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-105876
公開番号（公開出願番号）：特開2003-304003
出願日： 2002年04月08日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 半田バンプ接合はフラックスが電極に滲み出しLED素子の特性が劣化。AuバンプによるAu-Au超音波接合は実装タクトが増加する。【解決手段】 ガラスエポキシ樹脂などよりなる絶縁基板に所定の電極パーンを形成した配線基板の上面に、バンプ付き発光ダイオード素子をフリップチップ実装した表面実装型発光ダイオードで、絶縁基板2の一対の上面電極3a、4a上の所定の位置にAu-Sn半田5を塗布し、Auバンプ(7)付きLED素子6をフェイスダウンして接合した後、リフローすることにより半田溶融して電気的に導通し、LED素子6を覆うように透光性のエポキシ樹脂などからなる封止樹脂8で封止する。LED素子の特性が劣化することなく、実装タクトが半減できる。電気的接合強度、信頼性に優れた表面実装型LEDが提供できる。
請求項（抜粋）：
ガラスエポキシ樹脂などよりなる絶縁基板に所定の電極パーンを形成した配線基板の上面に、バンプ付き発光ダイオード素子をフリップチップ実装し樹脂封止してなる表面実装型発光ダイオードにおいて、前記配線基板の一対の上面電極上の所定の位置にAu-Sn半田を塗布し、前記Auバンプ付き発光ダイオード素子をフェイスダウンして接合した後、リフローすることにより半田溶融して電気的に導通し、前記フリップチップ実装した発光ダイオード素子を覆うように透光性のエポキシ樹脂などからなる封止樹脂で封止したことを特徴とする表面実装型発光ダイオード。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/60 311
FI (2件)：
H01L 33/00 N ,  H01L 21/60 311 Q
Fターム (12件)：
5F041AA37 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041DA03 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DB09 ,  5F044LL01 ,  5F044LL04 ,  5F044QQ03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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