半導体鏡面ウェーハの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石原詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-204311
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097775
出願日： 1996年07月15日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】高い平坦度の加工を可能とし、かつ表裏両面の研磨を行うことによって裏面のチッピングによる発塵を抑えてデバイスの歩留りを高めることができ、かつ工程の簡略化を図ることにより、生産性の向上を達成し、従来方法に比べて低い生産コストで高品質のウェーハ加工を可能とした新規な半導体鏡面ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウェーハを面取りする面取り工程と、面取りされたウェーハの両面を1次鏡面研磨する両面1次鏡面研磨工程と、両面を1次鏡面研磨されたウェーハの片面を仕上げ鏡面研磨する片面仕上げ鏡面研磨工程を含む。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウェーハを面取りする面取り工程と、面取りされたウェーハの両面を1次鏡面研磨する両面1次鏡面研磨工程と、両面を1次鏡面研磨されたウェーハの片面を仕上げ鏡面研磨する片面仕上げ鏡面研磨工程を含むことを特徴とする半導体鏡面ウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 301 , B24B 37/00 , B24B 37/04

FI (4件)：

H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 301 B , B24B 37/00 C , B24B 37/04 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

GaAsウエハの研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-200861 出願人：日立電線株式会社
半導体ウェハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-079266 出願人：コマツ電子金属株式会社
研磨布
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-217778 出願人：昭和アルミニウム株式会社

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