特許

J-GLOBAL ID：200903077276365973

スパッタリングターゲットの製造方法

発明者： 小林 哲 ,  瀬戸 康博 ,  川原 哲也 ,  葛城 成吾
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-251384
公開番号（公開出願番号）：特開2000-087228
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】 機械加工を施す際に表面に剥離状の欠けやクラックが生じ難く、安定してスパッタリングに使用できる、Sb及びTeを主成分として含むスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。【解決手段】 Sb及びTeを含む原料金属を溶解して合金とし、得られた合金を粉砕して合金粉末とし、次いでその合金粉末をダイスに充填し、不活性ガス雰囲気中で加圧しながら加熱昇温して400〜600°Cの範囲で焼結させるスパッタリングターゲットの製造方法において、焼結終了後もひき続き加圧しながら冷却し、その後200°C超の加圧停止温度で加圧を止めることを特徴とするSb及びTeを主成分とするスパッタリングターゲットの製造方法。

請求項（抜粋）：

Sb及びTeを含む原料金属を溶融して合金とし、得られた合金を粉砕して合金粉末とし、次いでその合金粉末をダイスに充填し、不活性ガス雰囲気中で加圧しながら加熱昇温して400〜600°Cの範囲で焼結させるスパッタリングターゲットの製造方法において、焼結終了後もひき続き加圧しながら冷却し、その後200°C超の加圧停止温度で加圧を止めることを特徴とする、Sb及びTeを主成分とするスパッタリングターゲットの製造方法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  B22F 3/14 ,  C22C 1/04 ,  G11B 7/26 531

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 1/04 E ,  G11B 7/26 531 ,  B22F 3/14 D

Fターム (18件)：

4K018AA40 ,  4K018CA12 ,  4K018DA28 ,  4K018DA31 ,  4K018EA11 ,  4K018FA08 ,  4K018KA29 ,  4K029BD00 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09 ,  5D121AA01 ,  5D121EE03 ,  5D121EE11 ,  5D121EE14 ,  5D121EE17 ,  5D121EE28 ,  5D121GG10 ,  5D121GG20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• スパッタリング・ターゲットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-118952   出願人：同和鉱業株式会社
• 特開平2-138463
  
• チタン酸系焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-212928   出願人：東海カーボン株式会社