特許

J-GLOBAL ID：200903077298332700

p形III族窒化物半導体層及びその形成方法

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-155313
公開番号（公開出願番号）：特開平11-004018
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【目的】 as-grownで低抵抗でp形のIII 族窒化物半導体層を形成する。【解決手段】 層厚を50nm以下とするIII 族窒化物半導体層を重層させて形成し、ドーピングレベルの高いエピタキシャル成長層を利用する。

請求項（抜粋）：

III 族窒化物半導体結晶の表面上に形成したp形不純物をドープしたIII 族窒化物半導体層であって、層厚を50nm以下とする複数の層の積層構造体からなることを特徴とするp形III 族窒化物半導体層。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-364012   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-142590   出願人：株式会社日立製作所