特許
J-GLOBAL ID:200903077330698215

化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-094845
公開番号(公開出願番号):特開平8-334900
出願日: 1996年03月25日
公開日(公表日): 1996年12月17日
要約:
【要約】【解決手段】 ポリシロキサンの末端シラノール基がトリメチルシリル基で保護された下記組成式(1)で示されるポリシロキサン(A)と酸発生剤(B)とを含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。 R(OSiMe3)aSiO(3-a)/2 ...(1)【化1】【効果】 本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成でき、微細加工技術に適するものである。
請求項(抜粋):
ポリシロキサンの末端シラノール基がトリメチルシリル基で保護された下記組成式(1)で示されるポリシロキサン(A)と酸発生剤(B)とを含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。 R(OSiMe3)aSiO(3-a)/2 ...(1)【化1】
IPC (5件):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027
FI (5件):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
審査官引用 (2件)

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