特許
J-GLOBAL ID：200903077356903020

エッチング装置

発明者：
岸本 喜芳

岸本 喜芳 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-009282
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217171
出願日： 2001年01月17日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 大口径のウェハやウェハ周辺領域部の均一性が得られるにくいエッチングプロセスに対しても均一なエッチング特性を得る。【解決手段】 下部電極14上に載置されたウェハ10の外周に臨む下部電極14上にフォーカスリング16を設け、このフォーカスリング16に、ガス通路161と、このガス通路161に連通され、フォーカスリング16の中心方向に向け開口された複数のガス噴出孔162を形成する。このガス噴出孔162からウェハの周辺領域に対してエッチングガスを噴出し、そのガスの流量および組成を変えることにより、ウェハ周辺領域で過剰となるエッチャントの比率を下げ、かつウェハ周辺領域で不足するバイプロダクトの影響を補正するためのデポ性のガスを増やすことができ、均一なエッチングが可能になる。
請求項（抜粋）：
真空反応室と、前記真空反応室内に設置され、ウェハが載置されるウェハステージと、前記ウェハステージ上のウェハに対して上方からエッチングガスを噴出する第1ガス噴出手段とを有し、前記第1ガス噴出手段から噴出されるエッチングガスを高周波電力によりプラズマ化し、このプラズマ化した活性ガスにより前記ウェハをエッチングする装置において、前記ウェハの外周近傍に、該ウェハの外周から中央に向けエッチングガスを噴出する第2ガス噴出手段を設けた、ことを特徴とするエッチング装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
B01J 19/08 H ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B
Fターム (18件)：
4G075AA24 ,  4G075BA05 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075FC13 ,  5F004AA01 ,  5F004BA09 ,  5F004BB04 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB28 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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