半導体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-156911
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005803
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】積層型のメモリセルアレーと周辺回路を有し、層間配線のショート等の不具合を生じない半導体メモリを提供する。【構成】積層型のメモリセルアレーと周辺回路を有する半導体メモリにおいて、前記メモリセルアレー20の周囲に、該メモリセルアレー20の段差以下の段差を有するダミーパターン21を設ける。

請求項（抜粋）：

積層型のメモリセルアレーと周辺回路を有する半導体メモリにおいて、前記メモリアレーの周囲に、該メモリセル段差以下の段差を有するダミーパターンを設けたことを特徴とする半導体メモリ。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-087366
特開平4-093071
特開平4-335569

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