半導体装置の作製方法及び液晶表示装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-076053
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152633
出願日： 2009年03月26日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：

【課題】酸化亜鉛を含む半導体膜を用い、ソース電極及びドレイン電極にn型又はp型の不純物を添加した酸化亜鉛を含む膜を用いたときでも欠陥や不良が生じない半導体装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】絶縁膜を形成し、絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、第1の導電膜上にn型又はp型の不純物が添加された酸化亜鉛を含む第2の導電膜を形成し、第2の導電膜を第1のエッチングによって島状にし、第1の導電膜を第2のエッチングによって島状にし、絶縁膜及び島状の第2の導電膜上に酸化亜鉛を含む半導体膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜上にn型又はp型の不純物が添加された酸化亜鉛を含む第2の導電膜を形成し、前記第2の導電膜を第1のエッチングによって島状にし、前記第1の導電膜を第2のエッチングによって島状にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (9件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , G02F 1/136 , G02F 1/133 , G09F 9/30 , H01L 51/50 , H05B 33/10

FI (14件)：

H01L29/78 616K , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/78 617V , H01L29/78 619A , H01L21/28 301R , H01L21/28 301B , H01L21/316 X , G02F1/1368 , G02F1/1333 505 , G09F9/30 338 , H05B33/14 A , H05B33/10

Fターム (151件)：

2H090HA04 , 2H090HB03X , 2H090HB04X , 2H090HC01 , 2H090HC09 , 2H090HC18 , 2H090HD02 , 2H090JA07 , 2H090JB02 , 2H090JB03 , 2H090JC07 , 2H090JC11 , 2H090LA01 , 2H090LA04 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA44 , 2H092JB56 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA18 , 2H092MA35 , 2H092NA17 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 3K107EE03 , 3K107GG00 , 3K107HH05 , 4M104AA06 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD40 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD72 , 4M104FF01 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 5C094AA21 , 5C094AA42 , 5C094AA53 , 5C094AA55 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094EA10 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FA04 , 5C094FB01 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5C094JA20 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF03 , 5F058BF07 , 5F058BF08 , 5F058BF12 , 5F058BJ04 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF35 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (5件)

トランジスタ構造及びその製作方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2005-501592 出願人：ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ
半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-223042 出願人：ミノルタ株式会社
特開昭62-252973

全件表示

審査官引用 (5件)

トランジスタ構造及びその製作方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2005-501592 出願人：ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ
半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-223042 出願人：ミノルタ株式会社
特開昭62-252973

全件表示

前のページに戻る