特許

J-GLOBAL ID：200903077408677619

感温抵抗変化膜およびその製造方法並びに感温抵抗変化膜を用いた赤外線センサ

発明者： 吉岡 智良 ,  出口 治彦 ,  薦田 智久
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-311011
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118004
出願日： 2000年10月11日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 成膜後の熱処理工程が不要であり、低い温度条件下のスパッタリング法で薄膜を形成することができ、低い温度で相転移が生じ、しかも、相転移温度域において抵抗温度係数が約-30%/°C以下とその絶対値が大きい感温抵抗変化膜、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 V2 O3 ターゲットと、Cr2 O3 ペレットとをスパッタリング処理することにより、基板上にクロムを含み、かつ、バナジウムを主成分とする酸化物膜を成膜する。図1は、感温抵抗変化膜である、クロムを含み、かつ、バナジウムを主成分とする酸化物膜の比抵抗の、昇温過程における温度特性を、温度(°C)を横軸に、比抵抗ρ(Ω・cm)を縦軸(logスケール)にした片対数グラフである。

請求項（抜粋）：

バナジウムまたはバナジウム酸化物からなるターゲットと、バナジウム以外の金属または該金属の酸化物からなるペレットとをスパッタリングして基板上に成膜することを特徴とする感温抵抗変化膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01C 7/04 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01C 17/12

FI (4件)：

H01C 7/04 ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/34 N ,  H01C 17/12

Fターム (18件)：

4K029BA50 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029EA08 ,  5E032AB10 ,  5E032BA15 ,  5E032BB10 ,  5E032CA01 ,  5E032CC18 ,  5E034BA09 ,  5E034BB08 ,  5E034BC07 ,  5E034DA02 ,  5E034DC01 ,  5E034DE16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 測温用抵抗体、その製法および該測温用抵抗体を用いる赤外線検知素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-083823   出願人：三菱電機株式会社
• ボロメ-タ用酸化物薄膜および該酸化物薄膜を用いた赤外線センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-194502   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-348001
  
• 赤外線検知素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-153152   出願人：松下電器産業株式会社