特許
J-GLOBAL ID:200903077421864215

半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 苗村 新一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-012344
公開番号(公開出願番号):特開2003-218192
出願日: 2002年01月22日
公開日(公表日): 2003年07月31日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウェハが厚み100μm以下に薄層化された場合であっても、その破損を防止し得る半導体ウエハ保護用粘着フィルム及びそれを用いる保護方法を提供する。【解決手段】 基材フィルム層の片表面に粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルム層が、貯蔵弾性率(E’)が1×108〜1×1010Pa、厚みが10〜100μmである高弾性フィルム層を少なくとも2層有し、該高弾性フィルム層の合計厚みが少なくとも100μmであり、且つ、基材フィルム層の総厚みが100〜1000μmであることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。
請求項(抜粋):
基材フィルム層の片表面に粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルム層が、貯蔵弾性率(E’)が1×108〜1×1010Pa、厚みが10〜100μmである高弾性フィルム層を少なくとも2層有し、該高弾性フィルム層の合計厚みが少なくとも100μmであり、且つ、基材フィルム層の総厚みが100〜1000μmであることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。
IPC (4件):
H01L 21/68 ,  C09J 7/02 ,  C09J201/00 ,  H01L 21/301
FI (4件):
H01L 21/68 N ,  C09J 7/02 Z ,  C09J201/00 ,  H01L 21/78 M
Fターム (13件):
4J004AB01 ,  4J004CA06 ,  4J004CB03 ,  4J004CC03 ,  4J004FA04 ,  4J004FA05 ,  4J040JA09 ,  4J040JB09 ,  4J040NA20 ,  5F031CA02 ,  5F031DA15 ,  5F031MA34 ,  5F031PA20
引用特許:
審査官引用 (2件)

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