特許

J-GLOBAL ID：200903077440536954

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置

発明者： 輿水 地塩 ,  大藪 淳 ,  竹内 秀樹 ,  輿石 公
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-253033
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156051
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理方法において、チャージアップダメージを減少させる。【解決手段】 平行平板型プラズマ処理装置において、プラズマの点火より前に、被処理基板を保持する電極に、プラズマが点火しないような周波数のバイアスを印加する。またプラズマ消火時にも、前記バイアスを印加した状態でプラズマを消火する。

請求項（抜粋）：

処理室と、前記処理室中に設けられ、被処理基板を担持する電極と、前記処理室中に設けられたプラズマ発生部とを備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、前記電極に、プラズマが点火しない第1の周波数の電力を供給する第1の工程と、前記第プラズマ発生部に、プラズマが点火する第2の周波数の電力を供給する第2の工程とよりなり、前記第1の工程は、前記第2の工程において前記プラズマ発生部によりプラズマが点火されるよりも前に、前記電極に前記第1の周波数の電力が供給されるように実行されることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

B01J 19/08 H ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-377509   出願人：東京エレクトロン山梨株式会社, 科学技術振興事業団
• プラズマシース発生高調波をフィルタリングすることによるプラズマプロセス効率の改善
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-339249   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-102943   出願人：株式会社日立製作所