特許
J-GLOBAL ID：200903048873847350

プラズマ処理方法

発明者：
浜 貴一

浜 貴一 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン山梨株式会社

東京エレクトロン山梨株式会社 について

, 
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-377509
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200771
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 電子シェーディングによるチャージングダメージの発生を防止し,所望の高アスペクト比のコンタクトホールを形成可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102内に配置された第2電極106上にウェハWを載置した後,C4F8とCOとArから成る処理ガスを処理室102内に導入する。第2電極106に対向する第1電極108に高周波電力を間欠的に印加すると共に,第2電極106に連続波の高周波電力を印加する。プラズマの安定化後,処理ガスにO2を間欠的に添加すると共に,コンタクトホールのアスペクト比の増加に応じてO2の添加量を増加させる。第1電極108に印加される高周波電力のオン時に生じた酸素の負イオンが,該電力のオフ時で,かつ第2電極106に印加される高周波電力の正のサイクルの時にコンタクトホール下部に導入され,該ホール下部壁部に生じた正電荷の帯電が解消される。
請求項（抜粋）：
処理室内に少なくともフルオロカーボンを含む処理ガスを導入し,前記処理室内に対向配置された第1電極と第2電極とにそれぞれ高周波電力を印加して前記処理ガスをプラズマ化し,前記第2電極に載置された被処理体に形成された酸化シリコン膜層に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において:前記第2電極に印加する前記高周波電力の周波数は,前記第1電極に印加する前記高周波電力の周波数よりも低く;前記第1電極には,前記高周波電力を間欠的に印加し;前記処理ガスには,酸素が間欠的に添加されること;を特徴とする,プラズマ処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M
Fターム (23件)：
4K057DA12 ,  4K057DA13 ,  4K057DB20 ,  4K057DD01 ,  4K057DD08 ,  4K057DE06 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DM05 ,  4K057DM18 ,  4K057DM20 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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