特許
J-GLOBAL ID:200903077469236178

透明電極膜の製造方法及び太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-263725
公開番号(公開出願番号):特開2001-085722
出願日: 1999年09月17日
公開日(公表日): 2001年03月30日
要約:
【要約】【課題】 その上に積層される発電膜に欠陥を生じることなく所望の導電性能を有し、耐還元性と耐熱性とを兼ね備え、発電効率を向上させることができる透明電極膜の製造方法及びそれを用いた太陽電池を提供する。【解決手段】 基板または下層薄膜が被着された基板を420〜500°Cの温度域に加熱保持した状態で、四塩化錫(SnCl4)の蒸気および水蒸気(H2O)を主原料とし、さらに弗化水素(HF)ガスを四塩化錫蒸気に対してモル比で0.5以上の割合となるように添加したプロセス流体を作用させることにより、前記基板または薄膜下層が被着された基板の上に酸化錫を主成分とする透明電極膜を形成する。
請求項(抜粋):
基板または下層薄膜が被着された基板を420〜500°Cの温度域に加熱保持した状態で、四塩化錫(SnCl4)の蒸気および水蒸気(H2O)を主原料とし、さらに弗化水素(HF)ガスを四塩化錫蒸気に対してモル比で0.5以上の割合となるように添加したプロセス流体を作用させることにより、前記基板または薄膜下層が被着された基板の上に酸化錫を主成分とする透明電極膜を形成することを特徴とする透明電極膜の製造方法。
IPC (4件):
H01L 31/04 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01M 14/00
FI (4件):
H01L 31/04 M ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01M 14/00 P
Fターム (26件):
4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD45 ,  4M104GG19 ,  4M104HH20 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CB12 ,  5F051CB24 ,  5F051CB27 ,  5F051FA03 ,  5F051FA17 ,  5F051FA19 ,  5F051FA24 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032CC14 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04 ,  5H032HH06
引用特許:
審査官引用 (11件)
  • 透明導電膜電極
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-296829   出願人:シャープ株式会社
  • 特開平1-249634
  • 特開平4-280975
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