特許
J-GLOBAL ID：200903077498347779

誘電体および誘電体膜の製造方法

発明者：
長谷川 利昭

長谷川 利昭 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-324681
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181133
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の絶縁膜に用いる、耐熱性,吸湿性,耐プラズマ性を有する誘電体膜の低誘電率化を図り、半導体装置の製造プロセスへの適用を可能にする。【構成】 誘電体1は、誘電体基材(シリコーン,非晶質フッ素樹脂,ポリイミド,ポリパラキシリレンまたはポリアミド系化合物)2中にフラーレン3(化学的空間を有するC60またはC70)が分散されているものである。また図示はしないが、上記誘電体1からなる誘電体膜は、ポリシキロサンポリマーにフラーレンを添加して塗布液を製造する、またはアルコールを主成分とする有機溶剤にポリイミドのモノマー,非晶質フッ素樹脂のモノマーまたはポリパラキシリレンのモノマーを溶解し、それにフラーレンを添加して塗布液を製造する。次いで塗布液を基板上に引き延ばして塗布膜を形成し、それを硬化させて誘電体膜を形成する。
請求項（抜粋）：
誘電体基材と、前記誘電体基材中に分散したフラーレンとからなることを特徴とする誘電体。
IPC (2件)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/768
引用特許：
審査官引用 (3件)

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