特許

J-GLOBAL ID：200903077521686306

半導体装置及びその製造方法

発明者： 須黒 恭一 ,  松尾 浩司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041343
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243951
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 金属酸化物からなるゲート絶縁膜の信頼性を向上させ、素子特性の向上及び信頼性の向上をはかる。【解決手段】 ゲート絶縁膜等に金属酸化物膜を用いる半導体装置の製造方法において、シリコン基板10上にCVD法でTiN膜11を成膜した後、O2 雰囲気中での熱処理によりTiN膜11を酸化してTiO2 膜12にする工程と、次いでTiO2 膜12上にバリアメタルとしてのTiN膜13を形成し、しかるのちTiN膜13上にゲート電極14を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に直接又は絶縁膜を介して金属化合物膜を成膜する工程と、前記金属化合物膜を酸化して金属酸化膜にする工程と、前記金属酸化膜上に電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/10 625 B ,  H01L 27/10 671 Z

Fターム (20件)：

5F040EC04 ,  5F040EC08 ,  5F040EC10 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040EK05 ,  5F040FA01 ,  5F040FA02 ,  5F040FC19 ,  5F083AD15 ,  5F083AD16 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-098500   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-356493   出願人：株式会社東芝