特許
J-GLOBAL ID：200903077531223460
トップゲート型薄膜トランジスタ、及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-118386
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312809
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】基板からの不純物拡散による特性劣化を防止する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】トップゲート型薄膜トランジスタは、基板と結晶性半導体層との間に、該基板から拡散する不純物を遮蔽する不純物拡散遮蔽膜と、該不純物拡散遮蔽膜と結晶性半導体層との間に、結晶性半導体層との界面における界面準位の発生を抑制した界面準位僅少膜とが設けられている。これにより、不純物の拡散防止と、界面準位の発生低減の両立が可能となり、良好なTFT特性が得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された非単結晶性半導体層にエネルギービームを照射することにより、該非単結晶性半導体層を結晶化させてなる結晶性半導体層と、上記結晶性半導体層上に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有し、上記結晶性半導体層におけるキャリアの実効移動度が100cm2 /Vs以上であるトップゲート型薄膜トランジスタであって、上記基板と結晶性半導体層との間に、該基板から拡散する不純物を遮蔽する不純物拡散遮蔽膜が設けられ、かつ、上記不純物拡散遮蔽膜と結晶性半導体層との間に、該結晶性半導体層との界面における界面準位の発生を抑制する界面準位僅少膜が設けられていることを特徴とするトップゲート型薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 627 E
, H01L 29/78 627 G
