特許
J-GLOBAL ID：200903081568777986
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-266588
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116156
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 多結晶シリコン層を用いて信頼性の高い半導体装置を生産性良く、かつ汚染なく製造すること。【解決手段】 本発明の半導体装置1は、ゲート絶縁部4が多結晶シリコン層5側からゲート電極3側に向けて第1層間応力緩衝層41、第1金属汚染防止層42の順に構成され、保護用絶縁部6が多結晶シリコン層5側からゲート電極3と離れる側に向けて第2層間応力緩衝層61、第2金属汚染防止層62の順に構成されるものであり、各種層を連続成膜して大気中でレーザアニールして多結晶シリコン層5を形成する製造方法である。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上でゲート領域として形成される多結晶シリコン層と、該多結晶シリコン層とゲート電極との間に形成されるゲート絶縁部と、該多結晶シリコン層に対して該ゲート電極と反対側に形成される保護用絶縁部とを備えている半導体装置であって、前記ゲート絶縁部は、前記多結晶シリコン層側から前記ゲート電極側に向けて第1層間応力緩衝層、第1金属汚染防止層の順に構成され、前記保護用絶縁部は、前記多結晶シリコン層側から前記ゲート電極と離れる側に向けて第2層間応力緩衝層、第2金属汚染防止層の順に構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 21/336
H01L 29/78 626 C
, G02F 1/136 500
, H01L 21/268 Z
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 627 G
