特許

J-GLOBAL ID：200903077534714066

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： 岩田 佳久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-153063
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229547
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 セルの高集積化に適したセルアレイ構造のMRAMを提案する。【解決手段】 読み出しビット線BLjには、複数のブロックBKj0,・・・BKjnが接続される。ブロックBKjnは、読み出しビット線BLjと接地端子との間に接続される直列接続される複数のMTJ素子12を有する。これら複数のMTJ素子12は、例えば、半導体基板上に積み重ねられる。読み出しビット線BLjは、積み重ねられた複数のMTJ素子上に配置される。ブロックBKjn内の複数のMTJ素子の近傍には、X方向に延びる書き込みワード線WWL3n,・・・WWL3n+2とY方向に延びる書き込みビット線BLj0,BLj1が配置される。

請求項（抜粋）：

互いに直列接続される磁気抵抗効果を利用してデータを記憶する複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルの一端に接続され、第1方向に延びるビット線と、前記ビット線に接続される読み出し回路とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 110 ,  G11C 11/15 116 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/15 110 ,  G11C 11/15 116 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (27件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083KA03 ,  5F083KA06 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR10 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA09 ,  5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• スタックされたMTJセル・メモリの検出方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-374139   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 強磁性トンネル接合素子を用いた記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-026690   出願人：ローム株式会社