特許
J-GLOBAL ID：200903033037737292
強磁性トンネル接合素子を用いた記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026690
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217398
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】強磁性トンネル接合素子を用いた記憶装置(磁気メモリ装置)を高集積化する。また、このうよな記憶装置で多値メモリの記憶を実現する。【解決手段】強磁性トンネル接合素子を備えたメモリエレメントME11,ME21は、ビットラインBL1を挟んで半導体基板1上に積層されている。メモリエレメントME11は、コントロールラインCL1およびビットラインBL1に流れる電流により生じる磁界を印加することで、情報の書込を行える。メモリエレメントME21は、ビットラインBL1およびコントロールラインCL2に流れる電流により生じる磁界を印加することで、情報の書込を行える。メモリエレメントME11,ME21を個別のトランジスタTr11,Tr21に接続すれば、1メモリセル分の面積に2個のセルを配置できる。メモリエレメントME11,ME21を共通のトランジスタに接続すれば、多値情報を記憶できる。
請求項（抜粋）：
基板上に積層されて形成され、強磁性トンネル接合素子をそれぞれ有する第1および第2のメモリエレメントと、上記第1および第2のメモリエレメントの間に配置され、これらの第1および第2のメモリエレメントの情報書換えのために共有される第1の電流印加ラインと、上記第1のメモリエレメントに対して上記第2のメモリエレメントとは反対側に配置され、上記第1のメモリエレメントの情報書換えのために用いられる第2の電流印加ラインと、上記第2のメモリエレメントに対して上記第1のメモリエレメントとは反対側に配置され、上記第2のメモリエレメントの情報書換えのために用いられる第3の電流印加ラインとを含むことを特徴とする強磁性トンネル接合素子を用いた記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/10 451
, G11C 11/15
, H01L 43/08
H01L 27/10 451
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083JA02
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083MA04
, 5F083MA19
, 5F083ZA21
