特許

J-GLOBAL ID：200903077534859250

多孔質SOG膜の疎水化処理方法

発明者： 田中 千晶 ,  村上 裕彦
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-357808
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164338
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 低比誘電率の層間絶縁膜であって、この層間絶縁膜形成後のCVDプロセスなどによりその上にさらに膜を積層させても、比誘電率が変化しない多孔質SOG膜の疎水化処理方法の提供。【解決手段】 有機シランと、水と、アルコールとを含む有機シラン液を用いて、界面活性剤の存在下、加熱処理し、多孔質SiO2膜を得、次いで、酸素プラズマ処理、電子線照射処理または紫外線照射処理のいずれかにより、得られた多孔質膜に残留する未反応OH基を除去する。

請求項（抜粋）：

有機シランと、水と、アルコールとを含む有機シラン液を用いて、界面活性剤の存在下、加熱処理し、多孔質SiO2膜を得、次いで、酸素プラズマ処理、電子線照射処理または紫外線照射処理のいずれかにより、得られた多孔質膜に残留する未反応OH基を除去することを特徴とする多孔質SOG膜の疎水化処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/90 Q

Fターム (13件)：

5F033QQ74 ,  5F033RR09 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033WW04 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH16 ,  5F058BH17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 低誘電率絶縁膜形成用組成物および低誘電率絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-219422   出願人：ソニー株式会社
• 薄膜半導体装置およびその製造方法、ならびにアクティブマトリックス基板およびその製造方法、液晶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-084652   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平4-280812