特許
J-GLOBAL ID：200903088746029187

薄膜半導体装置およびその製造方法、ならびにアクティブマトリックス基板およびその製造方法、液晶装置

発明者：
伊藤 友幸

伊藤 友幸 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-084652
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284189
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 室温レベルの低温度条件下でSiO2層を形成可能な薄膜半導体装置およびその製造方法、ならびにアクティブマトリックス基板およびその製造方法、液晶装置を提供する。【解決手段】 基板上にテトラメトキシシランを所定の厚さに塗布する塗布工程と、上記塗布工程によって形成されたテトラメトキシシランの塗布膜を室温にて紫外線を照射する光励起工程とによってSiO2膜4を形成するようにした。
請求項（抜粋）：
基板上にテトラメトキシシランを所定の厚さに塗布する塗布工程と、上記塗布工程によって形成されたテトラメトキシシランの塗布膜を室温にて紫外線を照射する光励起工程と、によってSiO2膜を形成することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 29/78 617 T ,  H01L 21/316 G ,  H01L 29/78 617 V
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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