特許

J-GLOBAL ID：200903077544006981

窒化物半導体結晶の製造方法

発明者： 上松 康二
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-219059
公開番号（公開出願番号）：特開2004-059363
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】エピタキシャル成長速度が均一であって、きれいな劈開性をもち低転位の単結晶窒化ガリウム結晶を製造する。【解決手段】異種基板の上に多数の孤立した遮蔽部を形成しGaNを気相成長させて遮蔽部に続く閉鎖欠陥集合領域Hを有する充分に厚いGaN結晶を製造し、裏面の基板を除き研磨するか、あるいはGaN結晶を面と平行に切り出して100μm〜500μmの厚みの自立したGaN骨格基板とし、塩化水素ガスによるドライエッチングをしてGaN骨格基板から閉鎖欠陥集合領域Hを除き、単結晶低転位随伴領域Zと単結晶低転位余領域Yだけを含むGaN骸骨基板とし、GaN骸骨基板の上にGaNを気相成長させて閉鎖欠陥集合領域Hを含まないGaN脱欠陥集合結晶を製造する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

異種基板の上に多数の孤立した遮蔽部を形成しGaNをファセット成長させて遮蔽部に続く閉鎖欠陥集合領域H及びファセットピットとその廻りの単結晶低転位随伴領域Zと単結晶低転位余領域Yを有する充分に厚いGaN結晶を製造し、裏面の基板を除き研磨するかあるいはGaN結晶を面と平行に切り出して50μm〜500μmの厚みの自立したGaN骨格基板とし、塩化水素ガスによるドライエッチングをしてGaN骨格基板から閉鎖欠陥集合領域Hを除き、単結晶低転位随伴領域Zと単結晶低転位余領域Yだけを含むGaN骸骨基板とし、GaN骸骨基板の上にGaNを気相成長させて閉鎖欠陥集合領域Hを含まないGaN脱欠陥集合結晶を製造することを特徴とする窒化物半導体結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B29/38 ,  H01L21/205

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205

Fターム (19件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EE07 ,  4G077EE10 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF10 ,  5F045AF12 ,  5F045CA11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体素子用基板およびその製造方法およびその半導体素子用基板を用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-285146   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-273882   出願人：住友電気工業株式会社
• 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-230925   出願人：住友電気工業株式会社