特許

J-GLOBAL ID：200903077552706569

薄膜、薄膜の製造方法および電子部品

発明者： 山田 一 ,  竹内 雅樹
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-219619
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043646
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 高い配向性を保ちながら内部応力を制御することができる薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 薄膜としてのAlN圧電薄膜10は、Siの基板12上に形成される。この場合、AlN圧電薄膜10は、Arと窒素との混合ガスであって窒素流量比(窒素流量/(Ar流量+窒素流量))が10%〜75%である混合ガスを用いるスパッタリング法で形成される。

請求項（抜粋）：

基板の表面に形成されるAlNを主成分とする薄膜において、結晶性がC軸配向であり、ロッキングカーブの半値幅が1.4°〜1.6°であり、内部応力が±1GPaの範囲で制御することができることを特徴とする、薄膜。

IPC (6件)：

H01L 41/24 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H03H 9/17

FI (6件)：

C23C 14/06 A ,  C23C 14/34 U ,  H03H 9/17 F ,  H01L 41/22 A ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 Z

Fターム (17件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA03 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC39 ,  4K029EA05 ,  5J108AA07 ,  5J108AA09 ,  5J108BB08 ,  5J108CC01 ,  5J108EE13 ,  5J108KK01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ホウ素含有窒化アルミニウム薄膜および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-041687   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化アルミニウム薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-115483   出願人：財団法人ファインセラミックスセンター
• 特開昭62-214167